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Hittite新单刀双掷开关绝缘性高电子设备行业资讯资讯-【新闻】

发布时间:2021-04-05 18:28:26 阅读: 来源:电热圈厂家

Hittite Microwave公司日前推出两款新型“单刀双掷”(Single Pole Double Throw, SPDT)MMIC开关——HMC349LP4C和HMC349MS8G,这两种开关应用范围十分广泛,包括基站底层结构、MMDS、WLL、有线电视/宽带和测试设备。

HMC349LP4C和HMC349MS8G均为采用表面贴装技术(SMT)封装的SPDT开关,可用于直流到4GHz条件下,仅需使用单个正向控制电压且直流偏压(dc bias)为+5V。这两种GaAs MESFET MMIC器件在非反馈拓扑(non-reflective topology)条件下工作时,绝缘特性分别为67dB(1GHz时)和62dB(2GHz时)。在+31dBm(输出P1dB时)和+46dBm(输出IIP3时)的3.5GHz WLL带上的功率范围和失真(distortion)性能优异。将启用(EN)输入置于logic high会使开关处于“全部关闭”(all-off)的高绝缘状态,从而增加该器件在有线电视和测试设备应用方面的通用性。

用户可以选择两种不同的封装形式以适应RF布局要求。HMC349LP4C符合4×4mm QFN SMT行业封装标准。HMC349MS8G采用紧凑的MSOP8G 8铅塑SMT封装,并提供与其它Hittite MS8G封装开关相同的RF引脚。采用这两种开关的产品和评估PC板已有现货供应。

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